Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPP80N06S2L07AKSA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP80N06S2L07AKSA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventár:
204 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805995
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP80N06S2L07AKSA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3160 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
210W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-1
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP80N06
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
IPx80N06S2L-07
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
INFINFIPP80N06S2L07AKSA2
SP001067894
2156-IPP80N06S2L07AKSA2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP100N06S2L05AKSA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
498
ČÍSLO DIELU
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.72
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTP120N075T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
44
ČÍSLO DIELU
IXTP120N075T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.69
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK4R3E06PL,S1X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
177
ČÍSLO DIELU
TK4R3E06PL,S1X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF3711LPBF
MOSFET N-CH 20V 110A TO262
IRL520NS
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
IRFI1010NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
IRFR1010ZTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK