Výrobca Číslo produktu:
IPSA70R750P7SAKMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPSA70R750P7SAKMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventár:
260 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805774
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPSA70R750P7SAKMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 70µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 400 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
306 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
34.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO251-3
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
IPSA70
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
2156-IPSA70R750P7SAKMA1
IFEINFIPSA70R750P7SAKMA1
SP001664796
IPSA70R750P7S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPS70R360P7SAKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2881
ČÍSLO DIELU
IPS70R360P7SAKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF5805TR
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
IRLR2905PBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRF7453TRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO