Výrobca Číslo produktu:
IPT020N10N3ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPT020N10N3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventár:
2232 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803227
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPT020N10N3ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
300A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 272µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11200 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
375W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-HSOF-8-1
Balenie / puzdro
8-PowerSFN
Základné číslo produktu
IPT020
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
IPT020N10N3ATMA1CT
IPT020N10N3
IPT020N10N3ATMA1TR
-IPT020N10N3ATMA1
SP001100160
IPT020N10N3ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDBL86062-F085
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3980
ČÍSLO DIELU
FDBL86062-F085-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.38
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
IRF7704TRPBF
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
