Výrobca Číslo produktu:
IPT65R195G7XTMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPT65R195G7XTMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Inventár:
12806479
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPT65R195G7XTMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
CoolMOS™ C7
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
195mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 240µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
996 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
97W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-HSOF-8-2
Balenie / puzdro
8-PowerSFN
Základné číslo produktu
IPT65R195
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
IPT65R195G7XTMA1CT
IPT65R195G7XTMA1TR
IPT65R195G7XTMA1DKR
INFINFIPT65R195G7XTMA1
2156-IPT65R195G7XTMA1
IPT65R195G7XTMA1-DG
SP001456206
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPT65R190CFD7XTMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPT65R190CFD7XTMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.25
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPB80N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IRLR3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
IPP60R160C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
