Výrobca Číslo produktu:
IPU80R1K4CEAKMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPU80R1K4CEAKMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventár:
12802538
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPU80R1K4CEAKMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 240µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
570 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO251-3
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
IPU80R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
SP001593930
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPU80R1K4P7AKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6
ČÍSLO DIELU
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STU3N65M6
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STU3N65M6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF6216TRPBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
IRF7210PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
IRF7201TRPBF
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
