Výrobca Číslo produktu:
IPU80R900P7AKMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPU80R900P7AKMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventár:
1500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805681
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPU80R900P7AKMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 110µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 500 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO251-3
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
IPU80R900
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
SP001633512
INFINFIPU80R900P7AKMA1
2156-IPU80R900P7AKMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7413ATR
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
IRFS4010TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
IPW65R280C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
