Výrobca Číslo produktu:
IPW60R099CPAFKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPW60R099CPAFKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventár:
196 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803083
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPW60R099CPAFKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
31A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2800 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
255W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IPW60R099
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
2156-IPW60R099CPAFKSA1
INFINFIPW60R099CPAFKSA1
SP000597860
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPT029N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
IRFS7534-7PPBF
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IRF7469TRPBF
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
