Výrobca Číslo produktu:
IPW80R280P7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPW80R280P7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventár:
109 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805741
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPW80R280P7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 360µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 500 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
101W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-3-41
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IPW80R280
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
2156-IPW80R280P7XKSA1
SP001422758
IPW80R280P7XKSA1-DG
448-IPW80R280P7XKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF1405ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLI540N
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
IPP60R165CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
