Výrobca Číslo produktu:
IPZ40N04S55R4ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPZ40N04S55R4ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventár:
6302 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805712
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPZ40N04S55R4ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™-5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.4V @ 17µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TSDSON-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
IPZ40N04
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
2156-IPZ40N04S55R4ATMA1
IPZ40N04S55R4ATMA1CT
IPZ40N04S55R4ATMA1DKR
INFINFIPZ40N04S55R4ATMA1
IPZ40N04S55R4ATMA1TR
SP001153440
IPZ40N04S55R4ATMA1-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP90R340C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
IPP65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
IRF7484Q
MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
