Výrobca Číslo produktu:
IRF1310NPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF1310NPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
747 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806332
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF1310NPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
42A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
36mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
160W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF1310
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
100
Iné mená
*IRF1310NPBF
SP001553864
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7526D1PBF
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
IRLR3705ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IPP65R190CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
