Výrobca Číslo produktu:
IRF150P220XKMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF150P220XKMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 203A (Tc) 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventár:
12803870
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF150P220XKMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
StrongIRFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
203A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.6V @ 265µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12000 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
556W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IRF150
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
SP001621156
IRF150P220
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF150P220AKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
738
ČÍSLO DIELU
IRF150P220AKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.10
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFZ48NSTRR
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
IRFR4105ZPBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IRF3704ZCSTRLP
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK