Výrobca Číslo produktu:
IRF2204LPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF2204LPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 170A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 170A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventár:
13064106
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF2204LPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Balenie
Tube
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
170A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 130A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5890 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001574580
*IRF2204LPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB120N4F6
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
944
ČÍSLO DIELU
STB120N4F6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.93
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STI270N4F3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
888
ČÍSLO DIELU
STI270N4F3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.55
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
IRF7807VD1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRFI4229PBF
MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
