IRF3706
Výrobca Číslo produktu:

IRF3706

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF3706-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 77A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

Online RFQ
12805102
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF3706 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
77A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2410 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
88W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
IRF3706(S,L)

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF3706

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRF3711STRR

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

infineon-technologies

IPP076N12N3GXKSA1

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

infineon-technologies

IRFR9024NPBF

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

infineon-technologies

IRF6706S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET