Výrobca Číslo produktu:
IRF3709ZL
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF3709ZL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-262
Inventár:
12806781
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF3709ZL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
87A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.25V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2130 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
79W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF3709ZL
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR12N25DTRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
IRF6811STR1PBF
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
IRFP7537PBF
MOSFET N-CH 60V 172A TO247
