Výrobca Číslo produktu:
IRF5210PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF5210PBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
6302 Ks Nové Originálne Na Sklade
12814898
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF5210PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF5210
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001559642
*IRF5210PBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
CSD25301W1015
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
IRF1405Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
