Výrobca Číslo produktu:
IRF6218PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6218PBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Podrobný popis:
P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12806013
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6218PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2210 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001564812
*IRF6218PBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTP36P15P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
93
ČÍSLO DIELU
IXTP36P15P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.12
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPU60R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
IRLS3036TRRPBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRLR3915TRPBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK