Výrobca Číslo produktu:
IRF640NLPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF640NLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262
Inventár:
794 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804873
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF640NLPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1160 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IRF640
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF640NLPBF
SP001563296
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQI27N25TU
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
600
ČÍSLO DIELU
FQI27N25TU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB80N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF6215LPBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IRFR3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK