Výrobca Číslo produktu:
IRF6613TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6613TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventár:
4078 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804238
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6613TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
23A (Ta), 150A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.25V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5950 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MT
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MT
Základné číslo produktu
IRF6613
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
SP001526876
IRF6613TRPBFCT
IRF6613TRPBFDKR
IRF6613TRPBFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFSL4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO262
IRF3007STRLPBF
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
