IRF6616

Výrobca Číslo produktu:

IRF6616

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF6616-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventár:

Online RFQ

12822389

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF6616 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

19A (Ta), 106A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

5mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.25V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

44 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

3765 pF @ 20 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Prevádzková teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

DIRECTFET™ MX

Balenie / puzdro

DirectFET™ Isometric MX

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

4,800

Iné mená

SP001530696

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

3 (168 Hours)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

littelfuse

IXFK26N120P

MOSFET N-CH 1200V 26A TO264AA

VM0550-2F

MOSFET N-CH 100V 590A MODULE

IRF7455

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

nxp-semiconductors

BUK9E1R9-40E,127

MOSFET N-CH 40V I2PAK