Výrobca Číslo produktu:
IRF6619
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6619-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventár:
13859 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804774
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6619 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Ta), 150A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.45V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
57 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5040 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MX
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MX
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
SP001526848
IRF6619CT
IRF6619TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF6619TR1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7158
ČÍSLO DIELU
IRF6619TR1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
IRF6619TR1PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2000
ČÍSLO DIELU
IRF6619TR1PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPW60R250CP
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRFZ46NSTRL
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
