Výrobca Číslo produktu:
IRF6626
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6626-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 72A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventár:
12805165
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6626 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 72A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2380 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ ST
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric ST
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
IRF6626TR
SP001528826
IRF6626CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PSMN5R0-30YL,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2980
ČÍSLO DIELU
PSMN5R0-30YL,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PSMN6R0-30YL,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3630
ČÍSLO DIELU
PSMN6R0-30YL,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR9024NTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRFHM9391TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
