IRF6633ATRPBF

Výrobca Číslo produktu:

IRF6633ATRPBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF6633ATRPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 16A (Ta), 69A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MU

Inventár:

Online RFQ

12804115

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF6633ATRPBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

16A (Ta), 69A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

5.6mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.2V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

17 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1410 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

Prevádzková teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

DIRECTFET™ MU

Balenie / puzdro

DirectFET™ Isometric MU

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRF6633ATRPBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

4,800

Iné mená

SP001524010

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

3 (168 Hours)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IRFB4229PBF

MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB

infineon-technologies

IPP50R199CPXKSA1

MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3

infineon-technologies

IPA60R450E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP

infineon-technologies

IPZ65R045C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 46A TO247