Výrobca Číslo produktu:
IRF6636TR1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6636TR1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventár:
12802651
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6636TR1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 81A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.45V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2420 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ ST
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric ST
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IRF6636TR1CT
IRF6636TR1TR
SP001532396
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EPC2034
GANFET N-CH 200V 48A DIE
IPB180N04S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPP21N03L G
MOSFET N-CH TO-220
