Výrobca Číslo produktu:
IRF6644
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6644-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventár:
12854410
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6644 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.8V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2210 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MN
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MN
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
SP001574786
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF6644TRPBF
VÝROBCA
International Rectifier
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
602356
ČÍSLO DIELU
IRF6644TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.27
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRL3803PBF
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
MCH3479-TL-H
MOSFET N-CH 20V 3.5A SC70
2SK3814(0)-Z-E2-AZ
TRANSISTOR
