Výrobca Číslo produktu:
IRF6648TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6648TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventár:
18438 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806362
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6648TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
86A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.9V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2120 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MN
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MN
Základné číslo produktu
IRF6648
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
IRF6648TRPBFDKR
IRF6648TRPBFCT
SP001570312
IRF6648TRPBFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPP07N65C3XKSA1
LOW POWER_LEGACY
IRF5806TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
IPP80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
