IRF6691TR1

Výrobca Číslo produktu:

IRF6691TR1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF6691TR1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

Inventár:

Online RFQ

12813367

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF6691TR1 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

32A (Ta), 180A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

1.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

71 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±12V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

6580 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Prevádzková teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

DIRECTFET™ MT

Balenie / puzdro

DirectFET™ Isometric MT

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,000

Iné mená

SP001530888

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

3 (168 Hours)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IPD30N06S223ATMA2

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

infineon-technologies

IRLL2703TRPBF

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

infineon-technologies

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

infineon-technologies

IRFS3507

MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK