Výrobca Číslo produktu:
IRF6710S2TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6710S2TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 37A (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Inventár:
12804834
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6710S2TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 37A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1190 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DirectFET™ Isometric S1
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric S1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
SP001524736
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC120N03LSGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
33689
ČÍSLO DIELU
BSC120N03LSGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR3303TRPBF
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IRF7458TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRFSL7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO262