Výrobca Číslo produktu:
IRF6713STRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6713STRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventár:
12818621
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6713STRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Ta), 95A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2880 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ SQ
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
SP001532360
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVTFS4C05NTAG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1500
ČÍSLO DIELU
NVTFS4C05NTAG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMTH6004LPS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
DMTH6004LPS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.63
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFIZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP
IRLR8259TRPBF
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
DN2470K4-G
MOSFET N-CH 700V 170MA TO252
