Výrobca Číslo produktu:
IRF6715MTRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6715MTRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 34A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventár:
12823231
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6715MTRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
34A (Ta), 180A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5340 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MX
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MX
Základné číslo produktu
IRF6715
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
IRF6715MTRPBFCT
IRF6715MTRPBF-DG
2166-IRF6715MTRPBF-448
SP001531626
IRF6715MTRPBFTR
IRF6715MTRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK9635-100A,118
MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
IRF7425TR
MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
