Výrobca Číslo produktu:
IRF6797MTRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6797MTRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 36A (Ta), 210A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventár:
12805760
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6797MTRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
36A (Ta), 210A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5790 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MX
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MX
Základné číslo produktu
IRF6797
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
SP001530232
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF6717MTRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8674
ČÍSLO DIELU
IRF6717MTRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.21
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFZ48ZS
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
IRFS31N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
IRFB3307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
