Výrobca Číslo produktu:
IRF6810STRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6810STRPBF-DG
Popis:
MOSFET N CH 25V 16A S1
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Inventár:
12823136
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6810STRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1038 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DirectFET™ Isometric S1
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric S1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
IRF6810STRPBFCT
IRF6810STRPBFDKR
SP001530834
IRF6810STRPBF-DG
IRF6810STRPBFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRLR3636TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
30775
ČÍSLO DIELU
IRLR3636TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.73
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR812TRPBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
IXTT440N04T4HV
MOSFET N-CH 40V 440A TO268
IRFR3418TRPBF
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
