Výrobca Číslo produktu:

IRF7202TR

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF7202TR-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 2.5A (Tc) 1.6W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO

Inventár:

Online RFQ

12804289

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF7202TR Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

2.5A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

270 pF @ 20 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.6W (Ta), 2.5W (Tc)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SO

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

IRF7202

IRF7202CT

IRF7202DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IRF60B217

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

infineon-technologies

IPI60R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3

infineon-technologies

IRF3707ZSPBF

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

infineon-technologies

IRF640NPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB