Výrobca Číslo produktu:
IRF7343TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7343TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Inventár:
18654 Ks Nové Originálne Na Sklade
12823713
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7343TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.7A, 3.4A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
740pF @ 25V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
IRF734
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SP001565516
IRF7343PBFCT
IRF7343PBFTR
*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
GWM180-004X2-SLSAM
MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
MCCD2005-TP
MOSFET 2N-CH 20V 8A 6DFN
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363