Výrobca Číslo produktu:
IRF7406GTRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7406GTRPBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
13064120
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7406GTRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SP001563604
IRF7406GTRPBFCT
IRF7406GTRPBFTR
IRF7406GTRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI4485DY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1860
ČÍSLO DIELU
SI4485DY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
SI9435BDY-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13307
ČÍSLO DIELU
SI9435BDY-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPSA70R600P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
IRF1324SPBF
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
IRF7799L2TRPBF
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
