Výrobca Číslo produktu:
IRF7420TR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7420TR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 11.5A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12804573
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7420TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
900mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3529 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS6575
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11716
ČÍSLO DIELU
FDS6575-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.48
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS6576
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6797
ČÍSLO DIELU
FDS6576-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS6375
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2121
ČÍSLO DIELU
FDS6375-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRFR3706TR
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRF1407L
MOSFET N-CH 75V 100A TO262
