Výrobca Číslo produktu:
IRF7469PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7469PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12805824
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7469PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
95
Iné mená
SP001565446
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMT6016LSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
48345
ČÍSLO DIELU
DMT6016LSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF7469TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6703
ČÍSLO DIELU
IRF7469TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.36
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLB8748PBF
MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB
IPI90R1K2C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
IRF1405ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO262