Výrobca Číslo produktu:
IRF7495TR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7495TR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 7.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12802974
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7495TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SP001559948
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF7495TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8492
ČÍSLO DIELU
IRF7495TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
FDS3672
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2534
ČÍSLO DIELU
FDS3672-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CMS16N06D-HF
MOSFET N-CH 60V 4.4A/16A DPAK
IPI80P03P405AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
IRF6729MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
