Výrobca Číslo produktu:
IRF7663TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7663TRPBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 8.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventár:
12805448
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7663TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2520 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
Micro8™
Balenie / puzdro
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRF7663TRPBF-DG
IRF7663TRPBFCT
IRF7663TRPBFDKR
IRF7663TRPBFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
2 (1 Year)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ZXM64P02XTA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6695
ČÍSLO DIELU
ZXM64P02XTA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.49
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLU3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
IRL2703S
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRLR8503PBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
