IRF7759L2TR1PBF
Výrobca Číslo produktu:

IRF7759L2TR1PBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF7759L2TR1PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8

Inventár:

Online RFQ
12804688
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF7759L2TR1PBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Ta), 375A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12222 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DirectFET™ Isometric L8
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric L8

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IRF7759L2TR1PBF-DG
Technické listy
IRF7759L2TR1PBF

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IRF7759L2TR1PBFCT
IRF7759L2TR1PBFDKR
SP001566426
IRF7759L2TR1PBFTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPW50R299CPFKSA1

MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3

infineon-technologies

IRFR4620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK

infineon-technologies

IRF9321PBF

MOSFET P-CH 30V 15A 8SO

infineon-technologies

IRF8714TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO