Výrobca Číslo produktu:
IRF7805ATR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7805ATR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12804728
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7805ATR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS8880
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16306
ČÍSLO DIELU
FDS8880-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RJK0355DSP-00#J0
VÝROBCA
Renesas Electronics Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10000
ČÍSLO DIELU
RJK0355DSP-00#J0-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
IRFH8324TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
