IRF7805PBF
Výrobca Číslo produktu:

IRF7805PBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF7805PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventár:

12804949
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF7805PBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
95
Iné mená
INFINFIRF7805PBF
2156-IRF7805PBF-IT
SP001575274

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FDS8880
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16306
ČÍSLO DIELU
FDS8880-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS6680A
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2496
ČÍSLO DIELU
FDS6680A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRF1104L

MOSFET N-CH 40V 100A TO262

infineon-technologies

IRFR4105ZTRPBF

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

infineon-technologies

IPP03N03LA

MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPI034NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3