Výrobca Číslo produktu:
IRF7807ATR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7807ATR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12803203
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7807ATR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ZXMN3B04N8TA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2078
ČÍSLO DIELU
ZXMN3B04N8TA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RSH065N03TB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
RSH065N03TB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STS10N3LH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4575
ČÍSLO DIELU
STS10N3LH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD85P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IRF5801TRPBF
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
IPP50R399CPHKSA1
MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3