Výrobca Číslo produktu:
IRF7807VD1TR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7807VD1TR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12804757
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7807VD1TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
FETKY™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
Schottky Diode (Isolated)
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ZXMN3B04N8TA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2078
ČÍSLO DIELU
ZXMN3B04N8TA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
MCQ4822-TP
VÝROBCA
Micro Commercial Co
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24952
ČÍSLO DIELU
MCQ4822-TP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPSA70R450P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3
IRF530NL
MOSFET N-CH 100V 17A TO262
IRFZ46ZL
MOSFET N-CH 55V 51A TO262
