Výrobca Číslo produktu:
IRF7821TRPBFXTMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7821TRPBFXTMA1-DG
Popis:
TRENCH <= 40V
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventár:
3435 Ks Nové Originálne Na Sklade
13005776
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7821TRPBFXTMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1010 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 155°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-DSO-8-902
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
448-IRF7821TRPBFXTMA1TR
SP005876287
448-IRF7821TRPBFXTMA1CT
448-IRF7821TRPBFXTMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF7821TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16602
ČÍSLO DIELU
IRF7821TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJQ4546VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4548P-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IDYH25G200C5XKSA1
SIC DISCRETE