Výrobca Číslo produktu:
IRF7842TR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7842TR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12806050
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7842TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.25V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4500 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF7842TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13970
ČÍSLO DIELU
IRF7842TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
SI4456DY-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
SI4456DY-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRL2703SPBF
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRF200P223
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
IPL60R065C7AUMA1
MOSFET HIGH POWER_NEW