Výrobca Číslo produktu:
IRF7853TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7853TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
11350 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806591
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7853TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.9V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1640 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
IRF7853
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRF7853TRPBFDKR
SP001554438
IRF7853TRPBF-DG
IRF7853TRPBFCT
IRF7853TRPBFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRL7833STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
SPN01N60C3
MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4
IRLR2905CPBF
MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
