Výrobca Číslo produktu:

IRF7854TRPBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF7854TRPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 10A 8SO

Podrobný popis:

N-Channel 80 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventár:

16813 Ks Nové Originálne Na Sklade

12815191

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF7854TRPBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

80 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

10A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4.9V @ 100µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

41 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1620 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.5W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SO

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Základné číslo produktu

IRF7854

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRF7854TRPBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

4,000

Iné mená

SP001563900

IRF7854TRPBFTR

IRF7854TRPBFDKR

IRF7854TRPBFCT

IRF7854TRPBF-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

texas-instruments

CSD16406Q3

MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON

infineon-technologies

IRL3103D1

MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB

microchip-technology

LND150N3-G

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

infineon-technologies

IRFB3507

MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB