Výrobca Číslo produktu:
IRF8302MTRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF8302MTRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventár:
12805522
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
OS4l
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF8302MTRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
31A (Ta), 190A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6030 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MX
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MX
Základné číslo produktu
IRF8302
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
IRF8302MTRPBFDKR
SP001555742
IRF8302MTRPBF-DG
IRF8302MTRPBFTR
IRF8302MTRPBFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF6727MTRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3845
ČÍSLO DIELU
IRF6727MTRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.03
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB120N04S401ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IRL2703PBF
MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB
IRFSL7787PBF
MOSFET N-CH 75V 76A TO262