Výrobca Číslo produktu:
IRF8304MTR1PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF8304MTR1PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventár:
12805055
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF8304MTR1PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Ta), 170A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4700 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MX
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MX
Základné číslo produktu
IRF8304
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IRF8304MTR1PBFDKR
SP001555726
IRF8304MTR1PBFCT
IRF8304MTR1PBFTR
IRF8304MTR1PBF-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7704
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
IPP80N06S2L11AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
