IRF8308MTRPBF

Výrobca Číslo produktu:

IRF8308MTRPBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF8308MTRPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventár:

Online RFQ

12807096

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF8308MTRPBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

27A (Ta), 150A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

2.5mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.35V @ 100µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

42 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

4404 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Prevádzková teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

DIRECTFET™ MX

Balenie / puzdro

DirectFET™ Isometric MX

Základné číslo produktu

IRF8308

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRF8308MTRPBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

4,800

Iné mená

SP001570686

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

SPA08N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-FP

infineon-technologies

IRLL024ZTRPBF

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

infineon-technologies

IRL1104

MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB

infineon-technologies

IRFZ24NPBF

MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB